‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，...

单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。

A.2A/V²
B.3A/V²
C.4A/V²
D.1A/V²

1.单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A.40A
B.25A
C.36A
D.12A

2.单项选择题‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）

A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷

3.单项选择题‎某长方形扩散区的方块电阻为200Ω，长度和宽度分别为100μm和20μm，则其长度方向的电阻为（）。

A.1KW
B.40Ω
C.2KW
D.100W

4.单项选择题C_TE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是，C_TE的存在意味着i_e必须先付出对势垒区充放电的多子电流i_ect后，才能建立起一定的i_pe。这一过程需要的时间是（）。

A.发射结扩散电容充放电时间常数
B.集电结耗尽区延迟时间
C.集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数
D.发射结势垒电容充放电时间常数

5.单项选择题‍（）的集电结反向电压V_CB称为共基极集电结雪崩击穿电压，记为BV_CBO。

A.发射极开路时，使I’_CEO→∞
B.集电极极开路时，使I’_CEO→∞
C.发射极开路时，使I’_CBO→∞
D.基极开路时，使I’_CBO→∞

6.单项选择题‎在异质结双极型晶体管中，通常用（）。

A.窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区

7.单项选择题为了使稳压二极管的击穿电压尽量不受温度的影响，可以通过适当选择PN结的杂质浓度分布，使其击穿电压处于两种击穿机构兼有的范围，原因是雪崩击穿具有（）而齐纳击穿具有与之相反的特性。

A.可逆
B.正温度系数
C.负温度系数
D.不可逆

8.单项选择题对PN⁺结，扩散电容上的电荷主要是储存在（）的非平衡载流子电荷。‌

A.N型中性区
B.P型势垒区
C.N型势垒区
D.P型中性区

9.单项选择题理想PN结的电流是（）。

A.多子漂移电流
B.少子扩散电流
C.多子扩散电流
D.复合-产生电流

10.单项选择题‏反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。

A.产生和漂移
B.漂移和扩散
C.扩散和复合
D.产生和扩散