单项选择题采用耗尽近似,N型耗尽区内的泊松方程与()成正比。
A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度
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1.单项选择题采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质
2.单项选择题p型空间电荷区由()构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质
3.单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的()。
A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度
4.单项选择题某N沟道MOSFET的阈值电压为1V,当其栅源电压短接且栅极电压为3V时,漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为()。
A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2
5.单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
A.40A
B.25A
C.36A
D.12A
6.单项选择题以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响?()
A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷
7.单项选择题某长方形扩散区的方块电阻为200Ω,长度和宽度分别为100μm和20μm,则其长度方向的电阻为()。
A.1KW
B.40Ω
C.2KW
D.100W
8.单项选择题CTE对高频小信号注入效率的影响的物理意义是,CTE的存在意味着ie必须先付出对势垒区充放电的多子电流iect后,才能建立起一定的ipe。这一过程需要的时间是()。
A.发射结扩散电容充放电时间常数
B.集电结耗尽区延迟时间
C.集电结势垒电容经集电区充放电的时间常数
D.发射结势垒电容充放电时间常数
9.单项选择题()的集电结反向电压VCB称为共基极集电结雪崩击穿电压,记为BVCBO。
A.发射极开路时,使I’CEO→∞
B.集电极极开路时,使I’CEO→∞
C.发射极开路时,使I’CBO→∞
D.基极开路时,使I’CBO→∞
10.单项选择题在异质结双极型晶体管中,通常用()。
A.窄禁带材料制作发射区,用宽禁带材料制作基区
B.宽禁带材料制作基区区,用窄禁带材料制作集电区
C.窄禁带材料制作基区,用宽禁带材料制作集电区
D.宽禁带材料制作发射区,用窄禁带材料制作基区
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