判断题发射结正偏、集电极零偏时的IC与IB之比称为共发射极直流短路电流放大系数。
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6.多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响?()
A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加
7.多项选择题MOSFET发生速度饱和之后,以下哪些物理量将与沟道长度不相关?()
A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率
8.多项选择题以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导?()
A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道载流子迁移率
9.多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中,IC在放大区随VCE的增加而略有增加,这是由()造成的。
A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应
10.单项选择题在平衡状态下,电子的电流密度()。
A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0
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