单项选择题涡流检测线圈是在被检测导电材料或零件表面及近表面激励产生（）
A.电流
B.磁场
C.满流
D.电磁
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1.单项选择题缺陷愈大，所遮挡的声束也愈多，底波波高也就愈低，这就有可能用缺陷波高与底波波高之比来表示缺陷的（）
A.绝对大小
B.相等大小
C.相对大小
D.相同大小
2.单项选择题直接射向缺陷的波就是（）
A.直通波
B.直射波
C.反射波
D.折射波
3.单项选择题当缺陷面积大于声束截面时，如果声束轴线移到缺陷边缘，缺陷波高约为声束轴线在缺陷中部时波高的（）
A.全部
B.两倍
C.三倍
D.一半
4.单项选择题在远场区，当缺陷比声束截面小时，缺陷波高与缺陷面积成（）
A.反比
B.倍数
C.正比
D.无关
5.单项选择题在声束垂直试件表面时，所获得的（）反射波高可能并不是可获得的最大反射波高。
A.缺陷
B.损坏
C.缺损
D.残缺
6.单项选择题采用以（）为横坐标，以平底孔直径标注各当量曲线作成实用AVG曲线。
A.声程
B.声音
C.声波
D.音程
7.单项选择题对检测仪的时间基线进行校正后，缺陷的埋藏深度可从荧光屏的（）上读出。
A.水平刻度线
B.垂直刻度线
C.刻度线
D.水平线
8.单项选择题对于接触法只须将能使缺陷落在其远场区内的纵波直探头在试件表面移动，即可获得缺陷的（）所在的位置，从而定出缺陷的平面位置。
A.最小反射波高
B.最大反射波低
C.最大反射波高
D.最小反射波低
9.单项选择题对于长条形试件，则常沿（）作平行纵轴的直线式扫查。
A.长度方向
B.周长方向
C.圆周方向
10.单项选择题对于圆盘形试件，常沿（）在圆面上进行扫查。
A.周长方向
B.长度方向
C.圆周方向
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