单项选择题为了避免陷落效应,晶体管的发射区多采用()扩散来代替磷扩散。
A.铟
B.硼
C.镓
D.砷
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1.单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在()期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。
A.反向恢复
B.正向导通
C.碰撞电离
D.热激发
2.单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN 结的()中。
A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区
3.单项选择题外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp()。
A.高qV
B.低qV
C.高q(Vbi-V)
D.低q(Vbi-V)
4.单项选择题
当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在ln(I)-V系统中的斜率为()。
A.A
B.B
C.C
D.D
5.单项选择题反向偏置情况下,除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外,还有()。
A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流
6.单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在势垒区为常数,这样总的电流密度等于J=Jdn(-xp)+Jdp(xn),这样求解电流密度方程就只需在()区进行。
A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷
7.单项选择题在近似条件下,平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将Vbi用()代替。
A.Vbi-V
B.Vbi+V
C.V-Vbi
D.V+Vbi
8.单项选择题采用耗尽近似,N型耗尽区内的泊松方程与()成正比。
A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度
9.单项选择题采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质
10.单项选择题p型空间电荷区由()构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质
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