问答题简述掺杂的两种方法
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10.单项选择题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。
1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长；
2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上；
3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应；
4.CVD SiO2，温度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4