单项选择题外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp()。
A.高qV
B.低qV
C.高q(Vbi-V)
D.低q(Vbi-V)
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1.单项选择题
当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在ln(I)-V系统中的斜率为()。
A.A
B.B
C.C
D.D
2.单项选择题反向偏置情况下,除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外,还有()。
A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流
3.单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流,Jdn和Jdp在势垒区为常数,这样总的电流密度等于J=Jdn(-xp)+Jdp(xn),这样求解电流密度方程就只需在()区进行。
A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷
4.单项选择题在近似条件下,平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将Vbi用()代替。
A.Vbi-V
B.Vbi+V
C.V-Vbi
D.V+Vbi
5.单项选择题采用耗尽近似,N型耗尽区内的泊松方程与()成正比。
A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度
6.单项选择题采用耗尽近似,P型耗尽区内的()完全扩散掉。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质
7.单项选择题p型空间电荷区由()构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质
8.单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的()。
A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度
9.单项选择题某N沟道MOSFET的阈值电压为1V,当其栅源电压短接且栅极电压为3V时,漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为()。
A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2
10.单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET,其阈值电压为-2V,增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V,漏极电压为4V时,器件的漏源电流为()。
A.40A
B.25A
C.36A
D.12A
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在晶圆上直接切割下来的集成电路裸片,称为()。
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