判断题防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
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8.多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响?()
A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加
9.多项选择题MOSFET发生速度饱和之后,以下哪些物理量将与沟道长度不相关?()
A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率
10.多项选择题以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导?()
A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道载流子迁移率
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