引起反向恢复过程的原因是PN结在（）期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。

单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在（）期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。

A.反向恢复
B.正向导通
C.碰撞电离
D.热激发

1.单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度E_g时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN 结的（）中。

A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区

2.单项选择题外加正向偏压为V时，势垒区中E_Fn比E_Fp（）。

A.高qV
B.低qV
C.高q（V_bi-V）
D.低q（V_bi-V）

3.单项选择题当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

4.单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流J_dp和电子扩散电流J_dn外，还有（）。

A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流

5.单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流，J_dn和J_dp在势垒区为常数，这样总的电流密度等于J=J_dn（-x_p）+J_dp（x_n），这样求解电流密度方程就只需在（）区进行。

A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷

6.单项选择题在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将V_bi用（）代替。

A.V_bi-V
B.V_bi+V
C.V-V_bi
D.V+V_bi

7.单项选择题采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（）成正比。

A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度

8.单项选择题采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。

A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质

9.单项选择题p型空间电荷区由（）构成。

A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质

10.单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度