在实测的晶体管输出特性曲线中，IC在放大区随VCE的增加而略有增加，这是由（...

多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中，I_C在放大区随V_CE的增加而略有增加，这是由（）造成的。

A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应

1.单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。

A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0

2.多项选择题单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度

3.多项选择题输运方程由电子电流密度和空穴电流密度构成，当载流子的迁移率和扩散系数确定以后，漂移电流取决于（）。

A.载流子浓度
B.电场强度
C.载流子浓度梯度
D.电荷密度

4.多项选择题‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关

5.多项选择题‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加

6.多项选择题‎防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

7.多项选择题‍要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

8.多项选择题PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。

A.少子的复合需要时间
B.中性区有多子电荷存储
C.反向电流的抽取需要时间
D.中性区有少子电荷存储

9.多项选择题‍PN结的击穿种类有（）。

A.齐纳击穿
B.雪崩击穿
C.隧道击穿
D.热击穿

10.多项选择题正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。‍

A.产生空穴-电子对
B.浓度低于平衡态少子浓度
C.浓度高于平衡态少子浓度
D.一边扩散一边复合