多项选择题以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流?()
A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加
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1.多项选择题防止基区穿通的措施是提高()。
A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度
2.多项选择题要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法()。
A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度
3.多项选择题PN结之所以具有反向恢复过程是由于()。
A.少子的复合需要时间
B.中性区有多子电荷存储
C.反向电流的抽取需要时间
D.中性区有少子电荷存储
4.多项选择题PN结的击穿种类有()。
A.齐纳击穿
B.雪崩击穿
C.隧道击穿
D.热击穿
5.多项选择题正向偏置的PN结,在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有()特点。
A.产生空穴-电子对
B.浓度低于平衡态少子浓度
C.浓度高于平衡态少子浓度
D.一边扩散一边复合
6.多项选择题PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的,下面()就是这样的。
A.势垒电容
B.空间电荷区宽度
C.反向饱和电流
D.反向恢复过程
7.多项选择题PN结的空间电荷区的电荷有()。
A.施主离子
B.电子
C.空穴
D.受主离子
8.多项选择题当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时,以下哪些物理量将缩小K倍?()
A.漏极电流
B.阈电压
C.单位面积栅电容
D.跨导
9.多项选择题在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时,采用了以下哪些近似?()
A.沟道迁移率恒定近似
B.耗尽近似
C.强反型近似
D.缓变沟道近似
10.多项选择题MOSFET的饱和区漏极电流ID随VDS的增大而略有增大,是由于什么原因引起的?()
A.基区宽度调变效应
B.阈电压的短沟道效应
C.漏区静电场对沟道的反馈
D.有效沟道调制效应
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