当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

单项选择题当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

1.单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流J_dp和电子扩散电流J_dn外，还有（）。

A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流

2.单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流，J_dn和J_dp在势垒区为常数，这样总的电流密度等于J=J_dn（-x_p）+J_dp（x_n），这样求解电流密度方程就只需在（）区进行。

A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷

3.单项选择题在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将V_bi用（）代替。

A.V_bi-V
B.V_bi+V
C.V-V_bi
D.V+V_bi

4.单项选择题采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（）成正比。

A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度

5.单项选择题采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。

A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质

6.单项选择题p型空间电荷区由（）构成。

A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质

7.单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。

A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度

8.单项选择题‎某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。

A.2A/V²
B.3A/V²
C.4A/V²
D.1A/V²

9.单项选择题某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。

A.40A
B.25A
C.36A
D.12A

10.单项选择题‏以下哪些因素对MOSFET的阈值电压无影响？（）

A.栅氧化层厚度
B.衬底掺杂浓度
C.沟道长度
D.氧化层固定电荷