判断题随着频率的不断提高,晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。
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2.判断题防止基区穿通的措施是提高WB与NB 。
10.多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响?()
A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加
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综合过程的第一步是把我们的HDL的源代码映射到一个通用的工艺库上,这个工艺库被称之为()。
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