在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×1014cm-3，受主原子数等...

问答题 在300K下，一个锗晶体中的施主原子数等于2×10¹⁴cm^-3，受主原子数等于3×10¹⁴cm^-3。
（1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是N型还是P型锗？它的电功能主要是由电子还是由空穴来体现？

（2）若Na＝Nd＝10¹⁵cm^-3，重做上述内容。
（3）若Nd＝10¹⁶cm^-3，Na＝10¹⁴cm^-3，重做上述内容。

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1.问答题 电路如图所示，集成稳压器7824的2、3端电压V₃₂＝V_REF＝24V，求输出电压V_O和输出电流I_O的表达式，说明该电路具有什么作用？

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2.问答题 电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压V_z＝6V，V_I＝18V，C＝1000pF，R＝R_L＝1KΩ
若电容器C断开，试画v_I、v_O及电阻R两端电压v_R的波形。

参考答案：

3.问答题 电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压V_z＝6V，V_I＝18V，C＝1000pF，R＝R_L＝1KΩ
若稳压管Dz的动态电阻r_z＝20Ω，求稳压电路的内阻R_o及面ΔV_o/ΔV_I的值

参考答案：

4.问答题 电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压V_z＝6V，V_I＝18V，C＝1000pF，R＝R_L＝1KΩ
求变压器副边电压有效值V₂、输出电压V_o的值？

参考答案：

5.问答题 电路如图所示，稳压管Dz的稳定电压V_z＝6V，V_I＝18V，C＝1000pF，R＝R_L＝1KΩ
电路中稳压管接反或限流电阻R短路，会出现什么现象？

参考答案：

稳压管接反使V_O降低到约为0.7V；而限流电阻R短路，I_R电流过大，使I_Z电流超过允许值会使稳压管烧坏。

6.问答题 变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v_2a-v_2b=√2V₂sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

若已知V_L＝30V，I_L＝80 mA，试计算V_2a、V_2b的值，并选择整流二极管。

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7.问答题 变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v_2a-v_2b=√2V₂sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

计算整流二极管的平均电流I_D、最大反向电压V_RM

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8.问答题 变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v_2a-v_2b=√2V₂sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

已知V2（有效值），求V_L、I_L（均为平均值）；

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9.问答题 变压器副边有中心抽头的全波整流电路如图所示，副边电源电压为v_2a-v_2b=√2V₂sinωt 假定忽略管子的正向压降和变压器内阻。

试画出v_2a、v_2b、i_D1、i_D1、i_L、L_v及一极管承受的反向电压v_Ro的波形；

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10.问答题 功率放大电路如图所示，已知，V_CC=20V，-V_CC=20V，负载电阻R_L=8Ω。设晶体管T1，T2的特性相同，死区电压V_ces可忽略。求：

R=0.5Ω时对应于每个管子的功耗最大的V_IM值及此时每个管子的功耗P_T（max）

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