半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，作用在半导体薄片上...

单项选择题半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，作用在半导体薄片上的磁场强度B和激励电流I越大，霍尔电势也就（）。

A.等于零
B.越低
C.越高
D.不变

1.单项选择题电动自行车的直流电动机的电枢线圈可采用（）传感器控制激励电流的换向。

A.热敏
B.霍尔
C.电感
D.压电

2.单项选择题霍尔传感器选择以下哪一个激励电流的数值较为妥当？（）

A.5μA
B.0.1mA
C.2mA
D.80mA

3.单项选择题下列属于四端元件的是（）

A.电阻应变片
B.光敏二极管
C.铂电阻丝
D.霍尔元件

4.单项选择题下列哪一项不能改变霍尔电动势的方向（）

A.只改变控制电流方向
B.只改变磁场的方向
C.同时改变控制电流和磁场方向
D.改变控制电流大小和方向

5.问答题敏度为100pC/g（g是重力加速度），电荷放大器的灵敏度为20mV/pC，请计算当输入5g的加速度时，电荷放大器的输出电压U₀和此时电荷放大器的反馈电容C_f。

6.判断题压电传感器可用于测量静态力。

7.判断题压电逆向效应即在电介质的极化方向施加交变电场，它会产生机械变形。当去掉外加电场，电介质变形随之消失的现象。

8.填空题压电传感器的压电晶片上电荷极性与受力（）有关。

9.填空题压电式传感器则利用了一些具有离子型晶体电介质的（）效应，它测量的最基本的物理量也是力。

10.填空题目前压电式传感器的常用的材料有（）、压电陶瓷和高分子压电材料等三类。