关于稽纳二极管的叙述，下列何者为是？（）

单项选择题关于稽纳二极管的叙述，下列何者为是？（）

A.V_Z大于6V，呈累增崩溃，其温度系数为正
B.V_Z大于6V呈稽纳崩溃，其温度系数为正
C.V_Z小于5V呈稽纳崩溃，温度系数为正
D.V_Z的电压在5～6V之间，温度系数为负

1.单项选择题在P型半导体中，传导电流的载子主要是（）

A.电子
B.离子
C.电洞
D.质子

2.单项选择题稽纳（Zener）二极管，一般最常用于何种电路？（）

A.放大电路
B.振荡电路
C.滤波电路
D.稳压电路

3.单项选择题一硅质二极管，串联2k 的电阻，接上一20V的顺向偏压，若考虑障壁电位，则电阻两端的电压为何？（）

A.18.6V
B.19.3V
C.19.7V
D.20V

4.单项选择题本质半导体在绝对零度（0°K）时，其性能如同（）

A.金属导体
B.绝缘体
C.半导体
D.具有多数之自由电子

5.单项选择题 如图所示，设D₁、D₂为理想二极管，试求V_o=？（）

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V

6.单项选择题下列有关半导体之叙述，何者错误？（）

A.外质半导体的导电性较本质半导体好
B.N型半导体的多数载子为电洞
C.P型半导体加入的杂质为受体
D.N型半导体加入的杂质为五价元素

7.单项选择题PN半导体加逆向偏压时会有些许电流产生，乃是因为（）所引起.

A.正离子
B.负离子
C.少数载子
D.多数载子

8.单项选择题当逆向偏压从10V减少到5V时，二极管接面的空乏区将（）

A.变小
B.变大
C.不受影响
D.崩溃

9.单项选择题三价杂质加到硅形成（）

A.锗
B.P型半导体
C.N型半导体
D.空乏区

10.单项选择题当P型和N型半导体接触时，即会产生一空乏层，而P型半导体之空乏层内应有（）

A.电洞
B.电子
C.正离子
D.负离子