正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

判断题正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

1.判断题在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。

2.判断题正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。

3.判断题当PN结发生大注入时，将产生自建电场，该电场的作用是阻止多子流动，使多子（产生和扩散运动大小相等方向相反的漂移运动，那么这个电场必定使少子产生和扩散运动大小相等方向相同的漂移运动。这相当于使少子的扩散系数D增大了一倍。这个现象称为韦伯斯脱（Webster）效应。

4.判断题由于PN结二极管具有单向导电性，所以可当作开关使用。当二极管处于正向导通状态时，相当于开关闭合，称为“开”态。当二极管处于反向截止状态时，相当于开关断开，称为“关”态。作为开关使用的二极管称为开关二极管。

5.判断题基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。

6.判断题I_ES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。

7.判断题对于一个N型MOSFET，为了保证器件正常工作，衬底电位应当等于或低于源极电位。

8.判断题MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

9.判断题当MOSFET的漏极电流较小时，随着温度的温度升高，漏极电流将减小。

10.判断题由于MOSFET的栅氧化层电荷通常带正电，因此N型衬底将更难发生反型。