普通V带的线速度应限制在（）范围内。

单项选择题普通V带的线速度应限制在（）范围内。

A.20—30m/s
B.5—25m/s
C.25—40m/s
D.40—100m/s

1.单项选择题在对称的三相电压作用下，将一个对称的三相负载分别接成三角形和星形时，通过负载的相电流之比是（）。

A.1
B.√3
C.3
D.1/3

2.单项选择题在RL串联正弦交流电路中，电阻上电压为16V，电感上的电压为12V，则总电压U为（）。

A.28V
B. 20V
C.4V
D.192 V

3.单项选择题若电路中某元件两端的电压u=36sin（314t+45°）V；电流i=5sin（314t+135°）A，则该元件是（）。

A.电阻
B.电感
C.电容
D.不能确定

4.单项选择题提升机限速装置如果为凸轮板，其在一个提升行程内的旋转角度应不小于（）。

A.270 º
B.200 º
C.170 º
D.100º

5.单项选择题提升机限速装置，保证提升容器到达终端位置时的速度不超过（）m/s。

A.1
B.2
C.3
D.4

6.单项选择题提升速度超过（）m/s的提升绞车必须装设限速装置。

A.1
B.2
C.3
D.4

7.单项选择题用直流电压表测量NPN型晶体三极管中管子各极电位是Ub=4.7V，Uc=4.3V， Ue=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）。

A.截止状态
B.饱和状态
C.放大状态
D.不能确定

8.单项选择题当硅晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该管工作在（）。

A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.无能确定

9.单项选择题三极管3DG130C是（）。

A.高频小功率PNP型锗管
B.高频大功率NPN型锗管
C.低频小功率PNP型硅管
D.高频小功率NPN型硅管

10.单项选择题某晶体二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。

A.约等于150V
B.略大于150V
C.等于75V
D.等于100V