‌PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。

判断题‌PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。

1.判断题一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。

2.判断题所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡少子浓度，大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡少子浓度。

3.判断题‏在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使得扩散电流等于漂移电流。

4.判断题单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

5.多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）

A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加

6.多项选择题MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）

A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率

7.多项选择题以下哪些措施可以提高MOSFET的跨导？（）

A.减小沟道长度
B.增加衬底掺杂浓度
C.增加栅氧化层厚度
D.增加沟道载流子迁移率

8.多项选择题在实测的晶体管输出特性曲线中，I_C在放大区随V_CE的增加而略有增加，这是由（）造成的。

A.基区宽度调变效应
B.有效沟道长度调制效应
C.电导调制效应
D.厄尔利效应

9.单项选择题在平衡状态下，电子的电流密度（）。

A.等于0
B.大于0
C.小于0
D.大于等于0

10.多项选择题单边突变结的（）主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

A.内建电势
B.耗尽区宽度
C.最大电场
D.势垒高度