单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是碰撞电离过程，其主要发生在反偏PN 结的（）中。
A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区
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1.单项选择题外加正向偏压为V时，势垒区中EFn比EFp（）。
A.高qV
B.低qV
C.高q（Vbi-V）
D.低q（Vbi-V）
2.单项选择题
当以正向扩散电流为主时，PN结的IV特性在ln（I）-V系统中的斜率为（）。
A.A
B.B
C.C
D.D
3.单项选择题反向偏置情况下，除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外，还有（）。
A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流
4.单项选择题不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在势垒区为常数，这样总的电流密度等于J=Jdn（-xp）+Jdp（xn），这样求解电流密度方程就只需在（）区进行。
A.耗尽
B.中性
C.势垒
D.空间电荷
5.单项选择题在近似条件下，平衡态的公式可以推广到非平衡态。其推广过程是将Vbi用（）代替。
A.Vbi-V
B.Vbi+V
C.V-Vbi
D.V+Vbi
6.单项选择题采用耗尽近似，N型耗尽区内的泊松方程与（）成正比。
A.施主杂质浓度
B.受主杂质浓度
C.电子浓度
D.空穴浓度
7.单项选择题采用耗尽近似，P型耗尽区内的（）完全扩散掉。
A.电子
B.空穴
C.载流子
D.带负电的电离受主杂质
8.单项选择题p型空间电荷区由（）构成。
A.电子
B.空穴
C.带正电的电离施主杂质
D.带负电的电离受主杂质
9.单项选择题空间任意点的电场强度的散度正比于该点的（）。
A.电荷密度
B.电流密度
C.正电荷密度
D.负电荷密度
10.单项选择题某N沟道MOSFET的阈值电压为1V，当其栅源电压短接且栅极电压为3V时，漏极电流ID为4A。该器件的增益因子β为（）。
A.2A/V2
B.3A/V2
C.4A/V2
D.1A/V2
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当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。
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