多项选择题反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的()。
A.掺杂浓度
B.温度
C.禁带宽度
D.种类
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1.多项选择题PN结的内建电势Vbi与()有关。
A.外加电压
B.掺杂浓度
C.材料种类
D.温度
2.多项选择题P型区和N型区的交界面称为()。
A.表面
B.冶金结面
C.结面
D.端面
3.单项选择题共射极接法的双极型晶体管发生雪崩击穿的条件是()。
A.M→∞
B.M→α
C.M→1/α
D.M→1
4.单项选择题在同一个双极型晶体管中,三种集电极电流ICBO、ICS和ICEO的大小关系为()。
A.ICBO>ICS>ICEO
B.ICBO>ICEO>ICS
C.ICBO<ICEO<ICS
D.ICBO<ICS<ICEO
5.单项选择题为了避免陷落效应,晶体管的发射区多采用()扩散来代替磷扩散。
A.铟
B.硼
C.镓
D.砷
6.单项选择题引起反向恢复过程的原因是PN结在()期间存储在中性区中的非平衡少子电荷Q。
A.反向恢复
B.正向导通
C.碰撞电离
D.热激发
7.单项选择题当载流子积累的能量ΔE超过禁带宽度Eg时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN 结的()中。
A.中性区
B.欧姆电极
C.耗尽区
D.扩散区
8.单项选择题外加正向偏压为V时,势垒区中EFn比EFp()。
A.高qV
B.低qV
C.高q(Vbi-V)
D.低q(Vbi-V)
9.单项选择题
当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在ln(I)-V系统中的斜率为()。
A.A
B.B
C.C
D.D
10.单项选择题反向偏置情况下,除空穴扩散电流Jdp和电子扩散电流Jdn外,还有()。
A.势垒区的产生电流
B.势垒区的复合电流
C.产生电流
D.复合电流
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