MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制...

填空题MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。

1.填空题I_ES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。

2.填空题共发射极电路中，基极电流I_B是输入电流，集电极电流I_C是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I_C与I_B之比称为（），记为β。

3.填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

4.填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

5.填空题当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

6.填空题当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。

7.判断题PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。

8.判断题正偏PN结中，耗尽区边界的少子小于平衡态少子。

9.判断题在正偏时，从P区注入N区的非平衡空穴，其浓度在N区中随距离作指数式衰减。这是因为非平衡空穴在N区中一边扩散一边复合的缘故。

10.判断题正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现复合占优。