当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。

填空题当MOSFET器件按照恒场法则等比例缩小时，器件的最高工作频率将（）。

1.填空题当MOSFET的沟道长度很小时，阈值电压将随着沟道长度的减小而（），该现象叫做阈值电压的短沟道效应。

2.填空题要提高MOSFET的跨导，需要（）沟道长度和栅氧化层厚度。

3.填空题当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。

4.填空题通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。

5.填空题当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。

6.填空题MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。

7.填空题I_ES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。

8.填空题共发射极电路中，基极电流I_B是输入电流，集电极电流I_C是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I_C与I_B之比称为（），记为β。

9.填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

10.填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。