单项选择题

如图所示,若Zener二极管崩溃电压为10V,且12V≤Vi≤15V,500Ω≤RL≤1000Ω,则Zener二极管所消耗之最大功率为?()

A.0.5W
B.0.4W
C.0.3W
D.0.2W


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1.单项选择题半导体的电流如何产生?()

A.仅由电子
B.仅由电洞
C.正、负离子
D.电子和电洞均有

2.单项选择题理想的砷化镓二极管其切入电压为?()

A.0V
B.0.2V
C.0.6V
D.1.1V

3.单项选择题稽纳电压在5V时,是属于何种崩溃效应()

A.稽纳崩溃
B.累增崩溃
C.以上皆可能
D.以上皆非

5.单项选择题在下列何种情况时,PN接面出现的空乏区会更显著?()

A.短路时
B.断路时
C.外加顺向偏压时
D.外加逆向偏压时

6.单项选择题关于稽纳二极管的叙述,下列何者为是?()

A.VZ大于6V,呈累增崩溃,其温度系数为正
B.VZ大于6V呈稽纳崩溃,其温度系数为正
C.VZ小于5V呈稽纳崩溃,温度系数为正
D.VZ的电压在5~6V之间,温度系数为负

7.单项选择题在P型半导体中,传导电流的载子主要是()

A.电子
B.离子
C.电洞
D.质子

8.单项选择题稽纳(Zener)二极管,一般最常用于何种电路?()

A.放大电路
B.振荡电路
C.滤波电路
D.稳压电路

10.单项选择题本质半导体在绝对零度(0°K)时,其性能如同()

A.金属导体
B.绝缘体
C.半导体
D.具有多数之自由电子