单项选择题下列何者不适于高频电路?()
A.透纳二极管
B.萧特基二极管
C.变容二极管
D.稽纳二极管
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1.单项选择题电子的移动速度比电洞()
A.慢
B.快
C.相同
D.不一定
2.单项选择题某二极管在VD=0.5V时,ID=10mA,其静态电阻RD为()
A.5Ω
B.50Ω
C.0.5kΩ
D.5kΩ
3.单项选择题稽纳二极管在电路上,一般作用是?()
A.放大器
B.整流器
C.稳压器
D.滤波器
4.单项选择题一般的硅质PN二极管导通时,两端的电位差约为?()
A.1.2伏特
B.0.9伏特
C.0.6伏特
D.0.2伏特
5.单项选择题本质半导体传导电流是靠下列何者的移动?()
A.电子
B.电洞
C.电子与电洞
D.以上皆非
6.单项选择题在一硅质二极管的两端外加一顺向偏压1V,并测得顺向电流为10mA,则二极管的静态电阻为()
A.10Ω
B.30Ω
C.70Ω
D.100Ω
7.单项选择题二极管接逆向偏压时,空乏区宽度()
A.不变
B.变大
C.变小
D.不一定
8.单项选择题稽纳(Zener)二极管用于稳压电路时,其工作区域为()
A.崩溃区
B.顺向区
C.负电阻区
D.以上皆非
9.单项选择题有一个二极管在室温时,电流为6mA,则其交流顺向电阻约为()
A.0.5Ω
B.1.5Ω
C.2.5Ω
D.4Ω
10.单项选择题有关锗与硅半导体特性的叙述,下列何者为正确?()
A.硅的逆向峰值电压远高于锗
B.硅工作温度远低于锗
C.硅二极管的切入电压低于锗
D.硅的逆向饱和电流高于锗
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