当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。

填空题当MOSFET处于亚阈区时，漏源电流与栅压呈（）关系。

1.填空题通过对沟道区进行离子注入可调整MOSFET的阈值电压，当注入的杂质与衬底杂质的类型相同时，N沟道MOSFET的阈值电压向（）方向调整。

2.填空题当在N型MOSFET的衬底加上一个负电位时，MOSFET的阈电压会（），这称为衬底偏置效应。

3.填空题MOSFET的基本工作原理，是通过改变栅源电压来控制沟道的导电能力，从而控制（）电流。

4.填空题I_ES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流，相当于单独一个（）构成的PN结二极管的反向饱和电流。

5.填空题共发射极电路中，基极电流I_B是输入电流，集电极电流I_C是输出电流。发射结正偏、集电结零偏时的I_C与I_B之比称为（），记为β。

6.填空题功率增益与频率平方的乘积称为晶体管的（），记为M。

7.填空题当N型MOSFET的温度降低时，器件的阈值电压将（）。

8.填空题当MOSFET处于亚阈区时，衬底表面的少子浓度介于本征载流子浓度与衬底平衡（）浓度之间。

9.填空题当MOSFET的沟道宽度很小时，阈值电压将随着沟道宽度的增加而（）。

10.判断题PN结正偏时，势垒高度降低。这就意味着n型侧中性区和p型侧中性区有更多的多子可以通过漂移运动越过势垒。