‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

多项选择题‎短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象？（）

A.跨导与沟道长度L不再有关
B.饱和漏源电压正比于沟道长度L
C.阈值电压随L的缩短而减小
D.饱和漏极电流与沟道长度L无关

1.多项选择题‍以下哪些因素会降低MOSFET的饱和区漏极电流？（）

A.沟道长度增加
B.阈值电压提高
C.栅氧化层厚度减小
D.沟道宽度增加

2.多项选择题‎防止基区穿通的措施是提高（）。

A.增大基区宽度
B.增大基区掺杂浓度
C.减小基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

3.多项选择题‍要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（）。

A.减小基区掺杂浓度
B.增大基区宽度
C.增大基区掺杂浓度
D.减小基区宽度

4.多项选择题PN结之所以具有反向恢复过程是由于（）。

A.少子的复合需要时间
B.中性区有多子电荷存储
C.反向电流的抽取需要时间
D.中性区有少子电荷存储

5.多项选择题‍PN结的击穿种类有（）。

A.齐纳击穿
B.雪崩击穿
C.隧道击穿
D.热击穿

6.多项选择题正向偏置的PN结，在靠近耗尽层边界的中性区内的少子具有（）特点。‍

A.产生空穴-电子对
B.浓度低于平衡态少子浓度
C.浓度高于平衡态少子浓度
D.一边扩散一边复合

7.多项选择题PN结中有很多参数或性能都由低掺杂一侧的掺杂浓度确定的，下面（）就是这样的。

A.势垒电容
B.空间电荷区宽度
C.反向饱和电流
D.反向恢复过程

8.多项选择题‎PN结的空间电荷区的电荷有（）。

A.施主离子
B.电子
C.空穴
D.受主离子

9.多项选择题当MOSFET的沟道长度、各种横向和纵向尺寸都按照缩小因子K等比例缩小时，以下哪些物理量将缩小K倍？（）

A.漏极电流
B.阈电压
C.单位面积栅电容
D.跨导

10.多项选择题在推导MOSFET非饱和区直流电流电压方程时，采用了以下哪些近似？（）

A.沟道迁移率恒定近似
B.耗尽近似
C.强反型近似
D.缓变沟道近似