‎增大VA的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。

判断题‎增大V_A的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。

1.判断题防止基区穿通的措施是提高W_B与N_B 。

2.判断题‌在异质结双极型晶体管中，通常将发射结作成异质结，即用宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区。

3.判断题发射结正偏、集电极零偏时的I_C与I_B之比称为共发射极直流短路电流放大系数。

4.判断题‌PN结的扩散电容来源于中性区非平衡载流子电荷随外加电压的变化。

5.判断题一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。

6.判断题所谓小注入条件，是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远小于该区的平衡少子浓度，大注入条件是指注入某区边界附近的非平衡少子浓度远大于该区的平衡少子浓度。

7.判断题‏在平衡态时，多子的漂移运动与少子的扩散运动达到动态平衡，从而使得扩散电流等于漂移电流。

8.判断题单边突变结的耗尽区主要分布在重掺杂的一侧，最大电场与耗尽区宽度主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。

9.多项选择题长时间的热电子效应可能会对MOSFET的器件性能产生哪些影响？（）

A.阈值电压增大
B.跨导增大
C.亚阈区特性恶化
D.漏源击穿电压增加

10.多项选择题MOSFET发生速度饱和之后，以下哪些物理量将与沟道长度不相关？（）

A.饱和漏源电压
B.跨导
C.饱和漏极电流
D.最高工作频率