单项选择题下列有关半导体之叙述,何者错误?()
A.外质半导体的导电性较本质半导体好
B.N型半导体的多数载子为电洞
C.P型半导体加入的杂质为受体
D.N型半导体加入的杂质为五价元素
您可能感兴趣的试卷
你可能感兴趣的试题
1.单项选择题PN半导体加逆向偏压时会有些许电流产生,乃是因为()所引起.
A.正离子
B.负离子
C.少数载子
D.多数载子
2.单项选择题当逆向偏压从10V减少到5V时,二极管接面的空乏区将()
A.变小
B.变大
C.不受影响
D.崩溃
3.单项选择题三价杂质加到硅形成()
A.锗
B.P型半导体
C.N型半导体
D.空乏区
4.单项选择题当P型和N型半导体接触时,即会产生一空乏层,而P型半导体之空乏层内应有()
A.电洞
B.电子
C.正离子
D.负离子
5.单项选择题二极管并联可增加()
A.最大电流
B.最大逆向电压
C.交换时间
D.以上皆正确
6.单项选择题P型半导体与N型半导体结合时,会在PN接合面上形成空乏区,则空乏区靠N型侧内有下列何者?()
A.电子
B.电洞
C.正离子
D.负离子
7.单项选择题有关稽纳二极管的叙述,下列何者为真?()
A.它是个定电压组件
B.它是个定电流组件
C.它工作在顺向区
D.它具有负电阻特性
8.单项选择题整块N型半导体是呈()
A.负电性
B.正电性
C.电中性
D.不一定
9.单项选择题在实用电路上,变容二极管的电容量与外加变容二极管两端之()
A.逆向电压成正比
B.逆向电压成反比
C.顺向电压成正比
D.顺向电压成反比
E.以上皆非
10.单项选择题下列何者不适于高频电路?()
A.透纳二极管
B.萧特基二极管
C.变容二极管
D.稽纳二极管
最新试题
如何使用555时基电路构成多谐振荡器?()
题型:单项选择题
在负反馈放大电路中,若要使输出信号的幅度增大,应该如何调整反馈电路?()
题型:单项选择题
下列关于与门电路(AND Gate)的描述中,哪一项是正确的?()
题型:单项选择题
下列哪种类型的正弦波振荡器输出功率大且频率较高?()
题型:单项选择题
555时基电路的主要功能不包括以下哪项?()
题型:单项选择题
74LS48芯片的主要功能是什么?()
题型:单项选择题
负反馈在放大电路中的主要作用不包括以下哪一项?()
题型:单项选择题
TTL反相器的主要特点是什么?()
题型:单项选择题
以下哪种类型的低频功率放大器以晶体管为主要元件,且输出波形失真较大?()
题型:单项选择题
555时基电路在双稳态模式下,其输出电平如何变化?()
题型:单项选择题