简述离子注入设备的五个主要子系统_考试资料网

网站首页考试题库热门试题智能家居网课试题

大学试题

题库首页每日一练章节练习

问答题简述离子注入设备的五个主要子系统

参考答案：

您可能感兴趣的试卷

你可能感兴趣的试题

1.问答题简述离子注入的优缺点

参考答案：优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无...

点击查看完整答案

2.问答题简述热扩散的三个步骤，以及它们的作用

参考答案：

3.问答题简述掺杂的两种方法

参考答案：A.热扩散：利用高温驱动杂质穿过硅的晶格结构。这种方法受到时间和温度的影响
B.离子注入：通过高压离子轰击把杂...

点击查看完整答案

4.问答题氧化层在芯片制备中有哪几方面的应用？

参考答案：（1）保护器件免受划伤和隔离污染
（2）限制带电载流子场区隔离（表面钝化）
（3）栅氧或储存器单元结...

点击查看完整答案

5.问答题简述常见的初级泵和高级泵。

参考答案：常见的两种初级泵：
A.干性机械泵
B.增压/调压泵：可处理大量气体而不需要润滑剂，增压器通常被称为...

点击查看完整答案

6.问答题工艺用气体通常分为哪两类？

参考答案：

7.问答题简述硅片清洗目标

参考答案：去除所有表面沾污（颗粒、有机物、金属、自然氧化层）

8.问答题晶体缺陷根据维数可分为哪四种？

参考答案：

点缺陷—空位、自填隙等
线缺陷—位错
面缺陷—层错
体缺陷

9.问答题GaAs相对Si的优点和缺点是什么？

参考答案：优点：
A.比硅更高的电子迁移率，高频微波信号响应好——无线和高速数字通信
...

点击查看完整答案

10.问答题简述微芯片技术发展的主要趋势

参考答案：提高芯片性能（速度、功耗）、提高芯片可靠性（低失效）、降低芯片成本（减小特征尺寸，增加硅片面积，制造规模）