化合物半导体材料的哪些特性，使之适合于做半导体探测器？

问答题化合物半导体材料的哪些特性，使之适合于做半导体探测器？

平均原子序数高，禁带宽度大，而且这些化合物半导体材料净杂质浓度较低，可以使灵敏区增大

1.问答题影响高纯锗探测器能量分辨率的主要因素有哪些？

2.问答题影响锂漂移型探测器能量分辨的主要因素有哪些？

3.问答题在野外使用的便携式谱仪中，可以采用Ge（Li）探测器吗？为什么？

不能，因为要在低温下工作装液氮的杜瓦瓶的尺寸和重量都远大于探测器本身，因此移动不方便。

4.问答题解释PIN探测器及名称由来。

5.问答题解释半导体探测器的辐射损伤效应。

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏，这种效应称为半导体探测器的辐射损伤效应，简称辐射损伤或辐照效应。

6.问答题解释半导体探测器的能量线性。

7.问答题影响金硅面垒探测器能量分辨力的主要因素有哪些？

（1）空穴-电子对数的统计涨落
（2）散射效应
（3）探测器的噪声
（4）空气和窗吸收的影响

8.问答题电离室能成为一个探测器应满足哪几个条件？

9.问答题半导体探测器有哪些优、缺点？

10.问答题列举几种半导体探测器。

P-N结型探测器、锂漂移型探测器、高纯锗探测器、化合物半导体探测器以及其它类型半导体探测器。