单晶片直探头接触法探伤中，与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为（...

单项选择题单晶片直探头接触法探伤中，与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为（）。

A.近场干扰
B.材质衰减
C.盲区
D.选择范围

1.单项选择题调制分析能适用于探头和试件相对（）的监测。

A.运动
B.静止
C.两者都可以
D.都不可以

2.单项选择题从电导率变化的信号中分离出裂纹信号应采用（）。

A.高通滤波器
B.低通滤波器
C.宽带滤波器
D.都不是

3.单项选择题下列哪一电路可改善涡流探伤的信噪比？（）

A.放大器
B.显示器
C.滤波器
D.鉴幅器

4.单项选择题涡流探伤中，相敏检波器的控制信号是（）。

A.方波
B.正弦波
C.两者都可以
D.两者都不可以

5.单项选择题为了抑制干扰信号的影响，根据下列哪种参数的差值来选择电路？（）

A.相位
B.幅度
C.频率
D.以上三种

6.单项选择题现代涡流技术的研究起步于本世纪（）年代。

A.60
B.70
C.80
D.50

7.单项选择题当试验频率增加且磁场强度保持不变时，表面涡流密度（）。

A.降低
B.增加
C.不变
D.正弦变化

8.单项选择题如果容易地检出缺陷，涡流的流向要：（）。

A.与缺陷的主平面共面
B.与缺陷的主平面垂直
C.与缺陷的主平面平行
D.线圈中电流相位差90°

9.单项选择题使材料中剩磁减小到零所需外加的磁场强度称为（）。

A.剩余磁感应强度
B.矫顽力
C.磁滞回线
D.磁化强度

10.单项选择题在交变磁场中试验铁磁性材料时，如果磁场强度增大（）。

A.对涡流无影响
B.增大涡流透入深度
C.减小涡流透入深度
D.使涡流透入深度减小到某一最小值，然后当试样达到磁饱和时，透入深度又增大到最大值。