CSK-ⅠA 试块上的R100圆弧和R50的同心圆弧面可以调节横波（）。

单项选择题CSK-ⅠA 试块上的R100圆弧和R50的同心圆弧面可以调节横波（）。

A.扫描速度1：2
B.扫描速度1：1
C.传播速度1：1
D.传播速度1：2

1.单项选择题活动永磁体在外磁场和回零磁体的双重磁场力作用下将发生偏转，带动指针停留在一定位置，指针（）的大小表示了外磁场的大小。

A.位移距离
B.伸缩长度
C.偏转角度
D.活动范围

2.单项选择题NB/T47013标准中规定：渗透检测自显像停留的时间是（）。

A.7min
B.10~30min
C.10~120min
D.10~12min

3.单项选择题以水为耦合介质的探头是（），探头不与工件直接接触。

A.点聚焦探头
B.线聚焦探头
C.水浸聚焦探头
D.接触聚焦探头

4.单项选择题用纵波直探头进行直接接触法检测时，如果超声检测仪器的时基线是按1：n的比例调节的，观察到缺陷回波前沿所对的水平刻度值为1，则缺陷至探头的距离x₁为（）。

A.x₁=n/1
B.x₁=n·1
C.x₁=1/n
D.x₁=1+n

5.单项选择题X 射线发出的连续谱是电子打在钨靶上后由（）产生的。

A.原子核
B.核外库仑场
C.撞击核外电子
D.核内质子

6.单项选择题X 射线的强度与阳极靶材料的（）有关。

A.密度
B.厚度
C.原子序数
D.形状

7.单项选择题不同的渗透检测材料组合系统，其（）不同，所以应按工件检测要求选择同一渗透检测剂系统完成检测。

A.溶解度
B.兼容度
C.灵敏度
D.清洁度

8.单项选择题由于水污染，水洗型渗透剂中乳化剂与水结合形成（）溶液，对铝、镁合金工件会产生腐蚀。

A.微碱性
B.微酸性
C.酸性
D.强碱性

9.单项选择题磁性成像通过磁图进行反演，用以得到铁磁性构件的（）、缺陷大小位置和形状等，也就是磁性CT 技术。

A.几何尺寸
B.磁特性
C.磁感应强度
D.磁场大小

10.单项选择题液体介质中圆盘上一点波源ds 辐射的球面波在波源轴线上某一点引起的声压dp 公式是（）。

A.dp=p₀ds/λrsin（2πft+2πr/λ）
B.dp=p₀ds/λrcos（2πft-2πr/λ）
C.dp=p₀ds/λrcos（2πft+2πr/λ）
D.dp=p₀ds/λrsin（2πft-2πr/λ）