下列催化剂制备方法中，只能制备低含量金属负载型催化剂的是（）

单项选择题下列催化剂制备方法中，只能制备低含量金属负载型催化剂的是（）

A.沉淀法
B.机械混合法
C.离子交换法
D.浸渍法

1.单项选择题关于结焦描述正确的是（）

A.结焦的催化剂要更换或再生
B.结焦的量不会高于20%
C.结焦后活性组分覆盖在碳上
D.结焦增加了可达的表面积

2.单项选择题下列哪一种物质最不易被过渡金属活化（）

A.甲烷
B.乙烯
C.乙炔
D.苯

3.单项选择题根椐吸附与催化的“火山形原理”，下列说法哪一种是正确的（）

A.吸附越强，反应活性越好
B.吸附越弱，反应活性越好
C.中等吸附强度，反应活性最好
D.中等吸附强度，反应活性最差

4.单项选择题N₂O在n型的ZnO半导体上分解时会使ZnO半导体（）

A.导电率上升，化学吸附量低
B.导电率减少，化学吸附量低
C.导电率上升，化学吸附量高
D.导电率减少，化学吸附量高

5.单项选择题关于晶体的表面结构说法不正确的是（）

A.晶体表面的原子处于与体相中的原子不同的状态
B.它的配位数小于体相中原子的配位数
C.它的相邻原子没有完全补足
D.晶体表面质点的排列完全和晶体体相中平等于表面的任何平面中的排列一样

6.单项选择题孔半径范围在1.5~15nm的孔现在称为（）

A.微孔
B.中间孔
C.中大孔
D.大孔

7.单项选择题下列不属于化学组成和结构表示的是（）

A.元素组成、结构和含量
B.表面的组成
C.可能呈现的表面功能基的性质和含量
D.物相间相互排列的方式

8.单项选择题下述方法不是将氧化物分散于大表面积载体的方法：（）

A.沉淀
B.干燥
C.离子交换
D.浸渍

9.单项选择题ZnO金属氧化物属于（）

A.n型半导体
B.p型半导体
C.绝缘体
D.本征半导体

10.单项选择题累积性化学吸附使（）

A.半导体电导增加，吸附覆盖度可以达到1
B.半导体电导减少，吸附覆盖度可以达到1
C.半导体电导增加，化学吸附量只能很有限
D.半导体电导减少，化学吸附量只能很有限