N2O在n型的ZnO半导体上分解时会使ZnO半导体（）

单项选择题N₂O在n型的ZnO半导体上分解时会使ZnO半导体（）

A.导电率上升，化学吸附量低
B.导电率减少，化学吸附量低
C.导电率上升，化学吸附量高
D.导电率减少，化学吸附量高

1.单项选择题关于晶体的表面结构说法不正确的是（）

A.晶体表面的原子处于与体相中的原子不同的状态
B.它的配位数小于体相中原子的配位数
C.它的相邻原子没有完全补足
D.晶体表面质点的排列完全和晶体体相中平等于表面的任何平面中的排列一样

2.单项选择题孔半径范围在1.5~15nm的孔现在称为（）

A.微孔
B.中间孔
C.中大孔
D.大孔

3.单项选择题下列不属于化学组成和结构表示的是（）

A.元素组成、结构和含量
B.表面的组成
C.可能呈现的表面功能基的性质和含量
D.物相间相互排列的方式

4.单项选择题下述方法不是将氧化物分散于大表面积载体的方法：（）

A.沉淀
B.干燥
C.离子交换
D.浸渍

5.单项选择题ZnO金属氧化物属于（）

A.n型半导体
B.p型半导体
C.绝缘体
D.本征半导体

6.单项选择题累积性化学吸附使（）

A.半导体电导增加，吸附覆盖度可以达到1
B.半导体电导减少，吸附覆盖度可以达到1
C.半导体电导增加，化学吸附量只能很有限
D.半导体电导减少，化学吸附量只能很有限

7.单项选择题下列选项中不属于影响CO不同吸附态因素的是（）

A.金属的类别
B.遮盖率
C.温度和压力
D.浓度

8.单项选择题在过渡金属中，下列哪种物质的化学吸附最弱（）

A.乙烷
B.乙烯
C.乙炔
D.苯

9.单项选择题下列氧化物属于绝缘体的是（）

A.ZnO
B.Cu₂O
C.Al₂O₃
D.NiO

10.单项选择题关于化学吸附描述不正确的是（）

A.化学吸附在比吸附物沸点高得多的温度也可以发生
B.化学吸附的吸附量总是随着温度的升高而单调地减少
C.化学吸附与吸附活化能有关
D.化学吸附可有较大的温度范围变动