用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量uo1、uo2时，交流电压表...

问答题

某电路如图所示。晶体管T为硅管，其β=20。电路中的U_CC=24V、R_B=96kΩ、R_C=R_E=2.4kΩ、电容器C₁、C₂、C₃的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值u_i=1V。

用内阻为10kΩ的交流电压表分别测量u_o1、u_o2时，交流电压表的读数各为多少？

1.问答题 某电路如图所示。晶体管T为硅管，其β=20。电路中的U_CC=24V、R_B=96kΩ、R_C=R_E=2.4kΩ、电容器C₁、C₂、C₃的电容量均足够大、正弦波输入信号的电压有效值u_i=1V。

求输出电压u_o1、u_o2的有效值。

根据共射极、共集电极放大电路的开路电压放大倍数求u_o=A_uu_i。

2.问答题 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c，并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。

3.问答题 分析如图所示电路对正弦交流信号有无放大作用。图中各电容对交流可视为短路。

4.问答题 电路如图所示，R_b=100kΩ，U_CC=9V，晶体管参数β=50，U_BE=-0.2V。

如果基极改为由电源U_CC供电，工作点不改变，则R_b值应改为多少？

5.问答题 测得某电路中几个三极管各极的电位如图所示，试判断各三极管分别工作在截止区、放大区还是饱和区。

6.问答题 电路如图所示，R_b=100kΩ，U_CC=9V，晶体管参数β=50，U_BE=-0.2V。

要求I_C=2mA，－U_CE＝5V，R_c=？

7.问答题设某三极管在20℃时的反向饱和电流I_CBO=1μA，β=30；试估算该管在50℃的I_CBO和穿透电流I_CEO大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I_CBO大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。

8.问答题 一个三极管的输出特性如图所示

设三极管的极限参数为I_CM=20mA，U_(BR)CEO=15V，P_CM=100mW，试在特性曲线图中画出三极管的安全工作区。

9.问答题 电路如图所示，R_b=100kΩ，U_CC=9V，晶体管参数β=50，U_BE=-0.2V。

要求I_C=2mA，U_BB=？

10.问答题 一个三极管的输出特性如图所示

试在图中求出u_CE=5V，i_C=6mA处的电流放大系数β和α，并进行比较。