如图所示，设D1、D2为理想二极管，试求Vo=？（）

单项选择题 如图所示，设D₁、D₂为理想二极管，试求V_o=？（）

A.1V
B.2V
C.3V
D.4V
E.5V

1.单项选择题下列有关半导体之叙述，何者错误？（）

A.外质半导体的导电性较本质半导体好
B.N型半导体的多数载子为电洞
C.P型半导体加入的杂质为受体
D.N型半导体加入的杂质为五价元素

2.单项选择题PN半导体加逆向偏压时会有些许电流产生，乃是因为（）所引起.

A.正离子
B.负离子
C.少数载子
D.多数载子

3.单项选择题当逆向偏压从10V减少到5V时，二极管接面的空乏区将（）

A.变小
B.变大
C.不受影响
D.崩溃

4.单项选择题三价杂质加到硅形成（）

A.锗
B.P型半导体
C.N型半导体
D.空乏区

5.单项选择题当P型和N型半导体接触时，即会产生一空乏层，而P型半导体之空乏层内应有（）

A.电洞
B.电子
C.正离子
D.负离子

6.单项选择题二极管并联可增加（）

A.最大电流
B.最大逆向电压
C.交换时间
D.以上皆正确

7.单项选择题P型半导体与N型半导体结合时，会在PN接合面上形成空乏区，则空乏区靠N型侧内有下列何者？（）

A.电子
B.电洞
C.正离子
D.负离子

8.单项选择题有关稽纳二极管的叙述，下列何者为真？（）

A.它是个定电压组件
B.它是个定电流组件
C.它工作在顺向区
D.它具有负电阻特性

9.单项选择题整块N型半导体是呈（）

A.负电性
B.正电性
C.电中性
D.不一定

10.单项选择题在实用电路上，变容二极管的电容量与外加变容二极管两端之（）

A.逆向电压成正比
B.逆向电压成反比
C.顺向电压成正比
D.顺向电压成反比
E.以上皆非