冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

判断题冶金结附近的空间电荷是由p型一侧电子和n型一侧空穴的积累引起的。

1.判断题‎P沟道的短沟道MOSFET 更容易发生横向双极击穿。

2.判断题MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。

3.判断题当硅表面处的少子浓度达到或大于表面多子浓度时，称表面发生了强反型。

4.判断题‌一个P沟道MOSFET的阈值电压大于零，则该器件是增强型器件。‍

5.判断题从发射区注入基区的多子形成的电流与总的发射极电流之比，称为注入效率。

6.判断题‎由于平面晶体管的基区宽度容易做得很小，加上基区中存在加速场，因此平面晶体管的β*与1非常接近。

7.判断题采用方块电阻来表示双极型晶体管，无论是均匀基区晶体管还是缓变基区晶体管，其表达式都是一样的。

8.判断题输出端对高频小信号短路（即v_cb=0，但V_CB＜0）条件下的i_c与i_e之比称为共基极高频小信号短路电流放大系数，记为α_ω。

9.判断题随着频率的不断提高，晶体管的电流放大能力将会不断降低甚至丧失。

10.判断题‎增大V_A的措施是增大基区宽度、减小势垒区宽度。